台积电（TSMC）已启动1nm（10纳米）及以下工艺节点的规划，计划于2029年实现试产，这一举措标志着全球领先半导体制造商进一步扩展其技术领地，持续推动半导体创新，1nm工艺节点的研发和试产将为后续高性能计算、人工智能、5G等领域提供更强大的技术支撑，进一步巩固台积电在全球半导体产业中的领导地位，这一计划也反映了台积电在技术路线上的长远布局，为客户提供更高效、更高性能的芯片解决方案。
4月17日消息，据媒体报道，在近日的季度财报法人说明会上，台积电披露了1nm及以下工艺生产线的相关规划。
公司计划在中国台湾台南建设A10晶圆厂，其中P1至P4厂区将用于发展1nm及以下的先进制程技术，预计2029年启动试产，初期月产能为5000片晶圆。
在美国亚利桑那州凤凰城的Fab 21工厂方面，未来P3、P4、P5厂区将分别对应2nm、A16和A14工艺。台积电还在该区域临近规划了6个厂区，共计11座晶圆厂。
其中，首座先进封装厂将于今年下半年动工，目标2028年启用，初期将采用SoIC和CoWoS先进封装技术。
台积电同时确认，下一代先进封装技术为CoPoS，即CoWoS的“面板化”演进方案。不过，该技术的推进难度高于预期，所需时间也比外界预估更长，这使得台积电的态度趋于谨慎。
供应链相关人士指出，CoPoS目前面临的瓶颈主要集中在“均匀度”与“翘曲”等问题上。
针对英特尔近期宣布加入埃隆·马斯克此前公布的TeraFab项目，台积电也作出了回应。
台积电董事长兼首席执行官魏哲家表示，台积电视英特尔为强大的竞争对手，绝未低估对方，但晶圆代工行业没有捷径，基本的游戏规则永远不会改变。
